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SiC MOSFETは、中電圧から高電圧の電力システムに使用され、より高いスイッチング周波数を可能にし、効率を向上させるとともに、システムのサイズを縮小し、冗長性の必要性を減らします。

当社のSiC MOSFETは、類を見ない堅牢性と性能を備え、幅広いソリューションを提供しており、システムコストを低く抑え、市場投入までの期間を短縮し、リスクを低下させます。当社のソリューションは、100年以上の酸化膜寿命と安定したボディダイオードを備え、業界最高水準のアバランシェ堅牢性、短絡能力、中性子感受性と相まって、システムの信頼性と稼働率を向上させます。

特徴

高温動作（Tj = 175°C）で、全温度範囲にわたって低いRDS（on）シフト

業界をリードするゲート酸化膜の安定性（Vthシフト＜100mV）とゲート酸化膜寿命

アバランシェ（UIS）堅牢性（＞100,000パルス）

長い短絡耐量時間

利点

より高いスイッチング周波数と効率

より高い電力密度

向上した堅牢性

SiCデバイスの冗長性を必要とせず、より小型・軽量のシステム

冷却要件の改善によるシステムコスト削減

当社の強み

複数のエピタキシャルソースと2つのSiCファブにより、長期的な供給を保証

類を見ないUISアバランシェ定格

最も長いゲート酸化膜耐量時間

顧客主導の廃止対応